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零件图片（仅供参考）
AON6566
规格参数

AON6566是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V VGS和20A条件下，RDS(on)最大值仅为5毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至33nC，有利于实现高效率的高频开关操作。

该器件额定漏源电压（VDSS）为30V，连续漏极电流（ID）在壳温下可达32A，提供了充足的电流处理能力。其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）和良好的热特性（壳温下最大功耗25W），确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机控制等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AON6566
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N CH 30V 29A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：29A（Ta），32A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：6W（Ta），25W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6566
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N CH 30V 29A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6566的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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