AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4406AL是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于低压高电流开关应用，其核心优势在于优异的导通性能与驱动特性。
其主要技术参数包括30V的漏源电压（Vdss）和13A（Tc）的连续漏极电流能力。关键性能指标为极低的导通电阻，在10V Vgs和12A Id条件下，Rds(on)最大值仅为11.5毫欧，能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至17nC @ 10V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，确保了其易于驱动并具备快速开关能力，适用于高频开关场景。
综合来看，AO4406AL凭借其低Rds(on)、低Qg和稳健的电气规格，为DC-DC转换、电机驱动等应用提供了一个高效、紧凑的功率开关解决方案。
基本参数：
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