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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4447A_103 是一款由 AOS 制造的 P 沟道功率 MOSFET,采用 8-SOIC 表面贴装封装。其核心电气参数包括 30V 的漏源电压(Vdss)和高达 18.5A 的连续漏极电流(Id)处理能力,适用于中高电流应用。
该器件的突出特点是其极低的导通电阻,在 10V 驱动电压下典型值仅为 5.8 毫欧,这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时,其栅极电荷(Qg)最大值为 130nC,有利于实现高效的开关操作。宽泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

基本参数:
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