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AO4447A_103 是一款由 AOS 制造的 P 沟道功率 MOSFET，采用 8-SOIC 表面贴装封装。其核心电气参数包括 30V 的漏源电压（Vdss）和高达 18.5A 的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中高电流应用。

该器件的突出特点是其极低的导通电阻，在 10V 驱动电压下典型值仅为 5.8 毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为 130nC，有利于实现高效的开关操作。宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。

• 制造商产品型号：AO4447A_103
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18.5A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.8 毫欧 @ 18.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5020pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4447A_103，AOS产品一站式供应商。