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AO4771是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源击穿电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中低压、中等电流的功率开关应用。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为68毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大7nC）和输入电容（Ciss，最大350pF @15V）确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升高频开关电源的效率。器件内部集成的隔离肖特基二极管，为设计提供了便捷的续流解决方案。

AO4771设计工作在-55°C至150°C的宽结温范围，支持标准逻辑电平驱动，是一款旨在提升系统能效与功率密度的集成化功率半导体解决方案。

• 型号:AO4771
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:68 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:350 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4771，AOS产品一站式供应商。