我们为全球各个行业提供AOS AOB2918L现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOB2918L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压（Vdss），在10V Vgs驱动下导通电阻（Rds(On)）低至7毫欧（@20A），栅极电荷（Qg）最大值为53nC，确保了低导通损耗与快速的开关性能。

该器件在25°C环境温度下连续漏极电流为13A，峰值电流处理能力强劲。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，功率耗散能力出色，适用于要求高可靠性与高效散热的功率开关应用，如电源转换和电机驱动等场景。

• 型号:AOB2918L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3430 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），267W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB2918L，AOS产品一站式供应商。