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AO4476G是一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装8-SOIC封装，专为要求高效率与高可靠性的中压应用而设计。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和25°C下达15A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。

该器件的关键优势在于其极低的导通损耗，在10V栅极驱动电压和15A电流条件下，导通电阻最大值仅为10.5毫欧。同时，其最大栅极电荷为23nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。这些特性共同确保了在宽温度范围（-55°C至150°C TJ）内的高效、稳定运行，使其成为电源转换和电机控制等应用的理想功率开关解决方案。

• 制造商产品型号：AO4476G
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.5 毫欧 @ 15A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4476G，AOS产品一站式供应商。