AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4892是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立的MOSFET，每个通道均具备100V的漏源电压（VDSS）额定值和4A的连续漏极电流（ID）能力，为中等功率应用提供了紧凑的解决方案。
其核心电气参数表现出色，导通电阻（RDS(on)）低至68mΩ（@10V，4A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，12nC @10V）和输入电容（Ciss，415pF @50V）确保了快速的开关性能，适用于高频开关电路。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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