AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOTE21115C及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTE21115C是AOS推出的一款双P沟道共漏极MOSFET阵列，采用8-TSSOP紧凑型封装。其核心卖点在于将两个独立的功率开关高度集成，在4.5V Vgs下提供低至40mΩ的导通电阻，支持高达5.1A的连续漏极电流，能有效降低导通损耗，提升系统效率。
器件具备20V的漏源电压额定值，栅极驱动门槛低，开关特性优良，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其成为空间受限且要求高效功率管理的应用的理想选择，例如便携式设备的电源分配、电机驱动及各类负载开关电路。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询