我们为全球各个行业提供AOS AOTE21115C现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOTE21115C是AOS推出的一款双P沟道共漏极MOSFET阵列，采用8-TSSOP紧凑型封装。其核心卖点在于将两个独立的功率开关高度集成，在4.5V Vgs下提供低至40mΩ的导通电阻，支持高达5.1A的连续漏极电流，能有效降低导通损耗，提升系统效率。

器件具备20V的漏源电压额定值，栅极驱动门槛低，开关特性优良，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其成为空间受限且要求高效功率管理的应用的理想选择，例如便携式设备的电源分配、电机驱动及各类负载开关电路。

• 型号:AOTE21115C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 5.1A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 P 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 5.1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• AOTE21115C，AOS产品一站式供应商。