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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF4N60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为要求高耐压和高效能的开关应用而设计。其核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的电压阻断和电流处理能力。
器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2.2欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性优化了开关性能，有助于实现更快的开关速度和降低驱动损耗，适用于频率要求较高的电源拓扑。
基本参数：
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