我们为全球各个行业提供AOS AO4566现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO4566是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于30V的漏源电压和12A的连续漏极电流承载能力，结合低至11毫欧（@10V Vgs, 12A）的导通电阻，能够显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。

该器件具备优异的开关性能，其最大栅极电荷仅为12.2nC，有助于实现快速的开关转换并降低驱动损耗。其4.5V至10V的推荐驱动电压范围与标准逻辑电平兼容，便于集成到现有的控制电路中。宽广的-55°C至150°C结温工作范围确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于对空间和效率均有要求的DC-DC转换、电源管理和电机控制等场景。

• 型号:AO4566
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:542 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4566，AOS产品一站式供应商。