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零件图片（仅供参考）
AO4800B
规格参数

AO4800B是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)可达6.9A，适用于中低电压、中高电流的功率开关应用。

其核心电气性能表现为低导通损耗与易驱动特性。在10V Vgs条件下，导通电阻(RDS(on))最大值为27毫欧，有效减少了功率传导过程中的能量损失。同时，其最大栅极阈值电压仅为1.5V，栅极电荷(Qg)低至7nC @ 4.5V，确保其能够被标准的3.3V或5V逻辑信号高效驱动，并实现快速的开关切换，有利于提升系统整体效率与响应速度。

  • 制造商产品型号：AO4800B
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.9A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 6.9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 15V
  • 功率-最大值：2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4800B
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO4800B的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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