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AO4441L是一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为高效开关应用设计。其核心特性包括60V的漏源电压（Vdss）和4A（Ta）的连续漏极电流额定值，在10V Vgs驱动下导通电阻（Rds(On)）低至100毫欧，有助于显著降低导通损耗。

该器件具备优异的动态性能，最大栅极电荷（Qg）仅为20nC @ 10V，配合1120pF @ 30V的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动需求。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持4.5V至10V的标准逻辑电平驱动，为电源转换、负载开关及电机控制等应用提供了可靠且高效的解决方案。

• 型号:AO4441L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 4A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1120 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4441L，AOS产品一站式供应商。