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AOT8N80L_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。其核心电气参数定义了器件的高压与功率处理能力：800V的漏源电压（Vdss）使其能够胜任严苛的高压环境，而7.4A的连续漏极电流（Tc条件下）与245W的最大功率耗散则确保了其可承载可观的功率水平。

在性能优化方面，器件在10V Vgs、4A Id条件下表现出1.63欧姆的低导通电阻，有助于降低导通损耗。同时，其32nC的低栅极电荷（Qg）与标准逻辑电平驱动的阈值电压，有利于实现快速开关并简化驱动设计。这些特性的结合，使其成为高压开关电源、功率转换等应用中的一个经典设计选择。

• 制造商产品型号：AOT8N80L_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.63 欧姆 @ 4A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1650pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：245W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3
• AOT8N80L_001，AOS产品一站式供应商。