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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6530是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN(5x6)表面贴装封装。该器件设计用于低压、高电流开关应用,其核心电气参数针对高效率进行了优化。
它提供30V的漏源电压额定值,并能在不同条件下支持高达28.5A(Ta)或72A(Tc)的连续漏极电流。其关键优势在于极低的导通电阻(典型值4.5毫欧 @ 20A, 10V)和较低的栅极电荷(最大值30nC @ 10V),这共同实现了较低的传导与开关损耗,提升系统整体能效。器件工作结温范围为-55°C至150°C,适用于要求高可靠性的电源与电机驱动场景。

基本参数:
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