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零件图片（仅供参考）
AOD409_001
规格参数

AOD409_001是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件核心优势在于其60V的漏源电压（Vdss）和高达26A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。

其关键性能参数定义了出色的能效表现：在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为40毫欧@20A，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，低至54nC的栅极电荷（Qg）和2.4V的栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了快速的开关特性和易于驱动的逻辑电平兼容性，有助于提升整体系统的开关频率和响应速度。

  • 制造商产品型号：AOD409_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 26A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：54nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3600pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），60W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD409_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 60V 26A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD409_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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