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AON7400AL_101是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高效、紧凑的电源管理应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（7.5mΩ @ 20A, 10V）与较低的栅极电荷（24nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和快速的开关性能，从而提升整体系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达40A的连续漏极电流，并具备-55°C至150°C的宽工作结温范围，提供了强大的功率处理能力和环境适应性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换及负载开关等应用的可靠解决方案。

• 制造商产品型号：AON7400AL_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1380pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• AON7400AL_101，AOS产品一站式供应商。