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AO3438是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L表面贴装封装。其核心优势在于在紧凑的尺寸内实现了优异的电气性能：20V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力，配合低至62毫欧（@ 4.5V Vgs, 3A Id）的导通电阻，有效降低了功率传导损耗。

器件具备出色的开关特性，其最大栅极电荷仅为3.8nC，输入电容为320pF，这使其能够实现快速开关并降低驱动需求，尤其适合由低压逻辑电路直接驱动。1.8V的低驱动电压（最大RdsOn）进一步增强了其在电池供电或低压系统中的适用性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的可靠性。

• 型号:AO3438
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3438，AOS产品一站式供应商。