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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4806是AOS推出的一款采用8-SOIC封装的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET，其栅极阈值电压最大仅为1V，可直接由低压微控制器驱动，简化了系统设计。
其核心电气优势在于极低的功率损耗，在10V Vgs和9.4A Id条件下，导通电阻低至14毫欧，同时最大栅极电荷仅为17.9nC，确保了高效率与快速的开关性能。器件额定漏源电压为20V，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高可靠性与高功率密度的应用。
基本参数：
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