AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOB2618L及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB2618L是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）和极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为19毫欧（@20A），这显著降低了传导损耗，提升了系统整体效率。
该器件具备优异的开关特性，最大栅极电荷（Qg）为20nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。其电流处理能力强劲，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达23A，最大功耗为41.5W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在宽温范围和中等功率应用中的稳定性和可靠性。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询