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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7902是一款采用8-PowerWDFN封装的双N沟道MOSFET阵列，专为高效率功率转换设计。其核心优势在于极低的导通电阻（21mΩ @ 10V, 8A）和逻辑电平门控特性（Vgs(th) ≤ 2.3V），可直接由低压微处理器驱动，显著降低传导损耗并简化驱动电路。
该器件额定漏源电压为30V，提供8A和13A的连续漏极电流能力，并具备低栅极电荷（11nC）以优化开关性能。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与1.8W的功耗处理能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行，适用于高密度DC-DC转换器和电机驱动等应用。
基本参数：
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