AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6401A是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气参数定义了出色的性能表现：30V的漏源电压和5A的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础。
器件的突出优势在于其低损耗特性，在10V Vgs下导通电阻最大值仅为44毫欧，配合低至1.5V的最大栅极阈值电压和仅13nC的栅极电荷，确保了高效率的功率传输和可由低压逻辑信号驱动的快速开关能力。这些特性使其成为空间紧凑、追求高效能的低压开关电源、电池管理及负载开关等应用的理想选择。
基本参数：
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