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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4884L_001是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET，其栅极阈值电压最大为2.7V，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了接口设计。
其核心优势在于优异的电气性能：在10A、10V条件下，导通电阻低至13毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大33nC的栅极电荷确保了快速的开关速度。该器件额定漏源电压为40V，连续漏极电流达10A，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于对效率和空间均有要求的功率开关应用。
基本参数：
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