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AO4884L_001是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET，其栅极阈值电压最大为2.7V，可直接由3.3V或5V微控制器驱动，简化了接口设计。

其核心优势在于优异的电气性能：在10A、10V条件下，导通电阻低至13毫欧，有效降低了导通损耗；同时，最大33nC的栅极电荷确保了快速的开关速度。该器件额定漏源电压为40V，连续漏极电流达10A，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于对效率和空间均有要求的功率开关应用。

• 型号:AO4884L_001
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4884L_001，AOS产品一站式供应商。