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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7812是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用表面贴装的8-PowerSMD封装。该器件每个通道的额定值为30V漏源电压和6A连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和6A Id条件下典型值仅为14.5毫欧，能显著降低功率损耗，提升系统效率。
此外，器件具备优异的动态性能，栅极电荷（Qg）低至15nC（@10V），输入电容（Ciss）为600pF（@15V），确保了快速的开关响应，适用于高频开关应用。其2.2V的栅极阈值电压与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）则保证了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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