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AOTF66616L 是一款采用 TO-220F 封装的 N 沟道功率 MOSFET，其核心优势在于 AOS 的 AlphaSGT 技术，实现了低导通电阻与快速开关特性的优化组合。该器件额定漏源电压为 60V，在 10V 栅极驱动下，其导通电阻低至 3.3 毫欧（@20A），能显著降低传导损耗；同时，其栅极电荷仅为 60nC，有利于实现高效率的高频开关操作。

其电流处理能力强劲，在环境温度下可持续通过 38A 电流，配合良好散热时可达 72.5A。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和各类功率转换电路中提升系统效率和功率密度的关键元件。

• 型号:AOTF66616L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Ta），72.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2870 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• AOTF66616L，AOS产品一站式供应商。