AOD413A_002（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOD413A_002是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。其核心电气参数包括40V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下高达12A的连续漏极电流（Id）承载能力，这使其能够胜任中功率级别的开关与控制任务。

该器件设计注重实用性，其封装形式有利于散热和PCB布局，适用于空间和效率均有要求的应用。其主要定位在于为低压系统的电源路径管理、负载开关及保护电路提供可靠的半导体开关解决方案。工程师在选用时需注意其停产状态，并建议在最终设计中验证替代方案的可行性。

制造商产品型号：AOD413A_002

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET P-CH 40V TO252

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：-

器件封装：-

AOD413A_002，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOD413A_002

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET P-CH 40V TO252

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOD413A_002的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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