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AOD413A_002是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET，采用TO-252封装。其核心电气参数包括40V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下高达12A的连续漏极电流（Id）承载能力，这使其能够胜任中功率级别的开关与控制任务。

该器件设计注重实用性，其封装形式有利于散热和PCB布局，适用于空间和效率均有要求的应用。其主要定位在于为低压系统的电源路径管理、负载开关及保护电路提供可靠的半导体开关解决方案。工程师在选用时需注意其停产状态，并建议在最终设计中验证替代方案的可行性。

• 制造商产品型号：AOD413A_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 40V TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• AOD413A_002，AOS产品一站式供应商。