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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4488L_101是一款N沟道功率MOSFET,采用8-SOIC封装,由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)制造。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和20A Id条件下典型值仅为4.6毫欧,这能显著降低功率损耗,提升系统整体效率。
该器件具备30V的漏源电压(Vdss)和高达15A的连续漏极电流(Id)处理能力,适用于中高电流场景。其驱动电压范围宽(4.5V-10V),兼容标准逻辑电平,且拥有宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C),确保了在多样化应用环境下的稳定性和可靠性。

基本参数:

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