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AO4488L_101是一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）制造。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下典型值仅为4.6毫欧，这能显著降低功率损耗，提升系统整体效率。

该器件具备30V的漏源电压（Vdss）和高达15A的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中高电流场景。其驱动电压范围宽（4.5V-10V），兼容标准逻辑电平，且拥有宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了在多样化应用环境下的稳定性和可靠性。

• 制造商产品型号：AO4488L_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：112nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6800pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• AO4488L_101，AOS产品一站式供应商。