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AO4614B_101是AOS推出的一款N沟道与P沟道互补MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。该器件集成了逻辑电平门驱动的N-MOSFET和P-MOSFET各一个，其N沟道和P沟道元件在25°C下的连续漏极电流（Id）分别可达6A和5A，漏源电压（Vdss）为40V，适用于中等电压和电流的功率路径管理。

其核心优势在于优异的开关性能与导通效率。在10V栅源电压下，N沟道MOSFET的导通电阻（Rds(on)）典型值低至30毫欧，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）分别仅为10.8nC和650pF，这共同确保了快速开关和低开关损耗。高达3V的栅极阈值电压使其可直接由微控制器驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和2W的功耗能力，进一步保障了其在严苛环境下的可靠性。

• 型号:AO4614B_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4614B_101，AOS产品一站式供应商。