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零件图片(仅供参考)
AOK5N100L
规格参数

AOK5N100L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装。其核心优势在于高达1000V的漏源电压(Vdss)额定值,为高电压应用提供了可靠的保障。在10V驱动电压下,其导通电阻(Rds(on))典型值低至4.2欧姆,有助于显著降低导通损耗,提升系统效率。

该器件具备良好的开关特性,最大栅极电荷(Qg)仅为23nC,支持快速的开关切换,适用于高频开关电源设计。其宽泛的结温工作范围(-55°C至150°C)和195W(Tc)的最大功率耗散能力,确保了在苛刻环境下的稳定运行与强大的功率处理性能。

  • 制造商产品型号:AOK5N100L
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):1000V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.2 欧姆 @ 2.5A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):23nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1150pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):195W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-247
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOK5N100L
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 1000V 4A TO247
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOK5N100L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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