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AON7810是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerSMD（DFN）表面贴装封装。该器件专为高效率和功率密度优化，其核心卖点在于优异的导通特性与快速开关能力的结合。

它具备30V的漏源电压（V_DSS）和6A的连续漏极电流（I_D）能力。在10V V_GS驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为14毫欧，能显著降低导通损耗。同时，作为逻辑电平门器件，其最大栅极阈值电压（V_GS(th)）为2.3V，可直接由低压逻辑信号驱动，而较低的栅极电荷（Q_g）则确保了高效的开关性能。

该MOSFET工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的紧凑型电源转换、电机驱动及负载开关等应用。

• 型号:AON7810
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:542pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（3x3）
• AON7810，AOS产品一站式供应商。