AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7810是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerSMD（DFN）表面贴装封装。该器件专为高效率和功率密度优化，其核心卖点在于优异的导通特性与快速开关能力的结合。
它具备30V的漏源电压（VDSS）和6A的连续漏极电流（ID）能力。在10V VGS驱动下，其导通电阻（RDS(on)）最大值仅为14毫欧，能显著降低导通损耗。同时，作为逻辑电平门器件，其最大栅极阈值电压（VGS(th)）为2.3V，可直接由低压逻辑信号驱动，而较低的栅极电荷（Qg）则确保了高效的开关性能。
该MOSFET工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的紧凑型电源转换、电机驱动及负载开关等应用。
基本参数：
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