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零件图片(仅供参考)
AOTF18N65_001
规格参数

AOTF18N65_001是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用经典的TO-220通孔封装。该器件基于平面MOSFET技术,专为需要高效功率切换和管理的应用而设计。

其核心价值在于提供了稳健的功率处理能力与封装散热特性的结合。TO-220封装确保了良好的机械坚固性和热传导性能,便于通过外加散热器应对更高的功率耗散。作为一款N沟道器件,它适用于作为低压侧开关,由标准逻辑电平或驱动器电路进行控制,是实现电源转换、电机驱动等功能的可靠基础元件。

  • 制造商产品型号:AOTF18N65_001
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH TO220
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOTF18N65_001
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH TO220
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF18N65_001的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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