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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4490L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs下仅7.2毫欧(最大值),结合高达16A的连续漏极电流能力,能够显著降低导通损耗,提升功率转换效率。
器件额定漏源电压为30V,栅极驱动兼容标准逻辑电平(4.5V/10V),并具备较低的栅极电荷(48nC,最大值),有利于实现快速开关并减少驱动损耗。其工作结温范围宽广(-55°C至150°C),适用于要求高可靠性和高效能的紧凑型电源管理应用。

基本参数:

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