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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF20C60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）与20A连续漏极电流（Id），具备高压大电流处理能力。
其关键性能优势在于较低的导通电阻，在10V栅极驱动、10A电流条件下，Rds(on)最大值仅为250毫欧，这有助于降低导通损耗，提升电源转换或电机驱动系统的效率。器件栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数定义了其开关特性，适用于需要快速开关的功率拓扑。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。
基本参数：
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