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AO3460是AOS推出的一款N沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，专为空间和效率要求苛刻的应用而设计。其核心电气参数包括60V的漏源电压和650mA的连续漏极电流，结合低至1.7欧姆的导通电阻，确保了在开关和线性调节应用中的高效能表现。

该器件具备宽泛的栅极驱动电压范围（4.5V至10V）和较低的栅极阈值电压（最大2.5V），使其易于被标准逻辑电路驱动。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，为各类消费电子、工业控制及电源管理解决方案提供了可靠且紧凑的功率开关选择。

• 型号:AO3460
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):650mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 欧姆 @ 650mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3460，AOS产品一站式供应商。