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零件图片(仅供参考)
规格参数
AO3460是AOS推出的一款N沟道MOSFET,采用SOT-23-3L封装,专为空间和效率要求苛刻的应用而设计。其核心电气参数包括60V的漏源电压和650mA的连续漏极电流,结合低至1.7欧姆的导通电阻,确保了在开关和线性调节应用中的高效能表现。
该器件具备宽泛的栅极驱动电压范围(4.5V至10V)和较低的栅极阈值电压(最大2.5V),使其易于被标准逻辑电路驱动。其工作温度范围覆盖-55°C至150°C,并采用表面贴装形式,为各类消费电子、工业控制及电源管理解决方案提供了可靠且紧凑的功率开关选择。
制造商产品型号:AO3460制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)描述:MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23-3L系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:停产FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):650mA(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.7 欧姆 @ 650mA,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-Vgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):27pF @ 30VFET功能:-功率耗散(最大值):1.4W(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:SOT-23-3LAO3460,AOS产品一站式供应商。
基本参数:
电子零件型号:AO3460
原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
技术标准参数:MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23-3L
产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
点击此处查询AO3460的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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