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零件图片（仅供参考）
AO4286
规格参数

AO4286是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数包括100V的漏源电压(Vdss)和4A的连续漏极电流(Id)，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理基础。

该器件的关键优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。在10V Vgs驱动下，其导通电阻(Rds(on))低至68毫欧@4A，有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷(10nC @10V)和输入电容(390pF @50V)确保了快速的开关瞬态，最小化了开关损耗，使其非常适合高频开关电源设计。

此外，AO4286具备宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C结温)和±20V的栅源电压耐受能力，结合其逻辑电平兼容的驱动特性，为设计高可靠性、高效率的功率转换与控制系统提供了理想的半导体开关解决方案。

  • 制造商产品型号：AO4286
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.9V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：390pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4286
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4286的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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