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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT1100L是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220通孔封装。该器件设计用于100V的中高压应用，其核心优势在于优异的导通特性与电流处理能力。
它在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至12毫欧（最大值），这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，器件支持高达130A（Tc）的连续漏极电流和500W（Tc）的最大功率耗散，具备处理高功率脉冲和持续负载的潜力。其栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速的开关切换，提升系统效率。
宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在严苛环境下的稳定性，使其适用于电源转换、电机驱动和各类功率开关电路。
基本参数：
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