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AO4437是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装，专为低压、大电流开关应用而优化。其核心优势在于出色的电气性能组合：在4.5V Vgs下，最大导通电阻（Rds(on)）低至16毫欧，可支持高达11A的连续漏极电流，有效降低了功率传导损耗。

该器件具备快速开关能力，其最大栅极电荷（Qg）仅为47nC，有助于实现高效率和高频操作。其1.8V的最低驱动电压使其能与现代低电压逻辑电路无缝兼容。12V的漏源电压（Vdss）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）确保了其在各类便携式电子设备和电源管理系统中的可靠性与适用性。

• 型号:AO4437
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 12V 11A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:12 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 11A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4750 pF @ 6 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• AO4437，AOS产品一站式供应商。