AOB210L 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 (DPak) 表面贴装封装。该器件额定漏源电压为 30V,在管壳温度条件下可支持高达 105A 的连续漏极电流,具备强大的电流处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻,在 10V Vgs 和 20A Id 条件下最大值仅为 2.6 毫欧,能显著降低导通损耗,提升系统效率。同时,58nC 的栅极电荷和宽泛的工作温度范围(-55°C 至 175°C)使其适用于要求高效率和高可靠性的开关电源与电机驱动应用。
- 型号:AOB210L
- 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
- 封装:TO-263(D2PAK)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),105A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.6 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):58 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4300 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.9W(Ta),176W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263(D2PAK)
- 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
- AOB210L,AOS产品一站式供应商。