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零件图片（仅供参考）
AOB210L
规格参数

AOB210L 是 AOS 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 (DPak) 表面贴装封装。该器件额定漏源电压为 30V，在管壳温度条件下可支持高达 105A 的连续漏极电流，具备强大的电流处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在 10V Vgs 和 20A Id 条件下最大值仅为 2.6 毫欧，能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，58nC 的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于要求高效率和高可靠性的开关电源与电机驱动应用。

  • 制造商产品型号：AOB210L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），105A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：58nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4300pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），176W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263（DPak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOB210L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB210L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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