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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT3N60是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压中小功率应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其平衡的开关性能。其导通电阻（Rds(On)）为3.5欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（12nC）和输入电容（370pF）确保了快速的开关瞬态响应，有利于提升开关电源的工作频率和效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保障了其在各种环境下的稳定运行。
基本参数：
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