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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF5N100是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为高压应用设计。其核心参数包括1000V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），提供了强大的高压阻断和电流处理能力。
该器件的关键优势在于其优化的动态性能。其最大导通电阻为4.2欧姆（@10V， 2.5A），有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（23nC @10V）和输入电容（1150pF @25V）确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有利于提升系统效率并简化驱动电路设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和42W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的稳定运行。
基本参数：
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