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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD66923 是AOS公司推出的一款采用AlphaSGT技术的N沟道功率MOSFET。该器件在100V的漏源电压（VDSS）规格下，实现了优异的导通性能，其最大导通电阻（RDS(on)）低至11mΩ，同时保持了较低的栅极电荷（Qg），这有助于在应用中同时降低传导损耗和开关损耗，提升电源系统的整体效率。
器件采用TO-252（DPAK）封装，支持表面贴装，具备良好的功率处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流（ID）可达58A。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境条件下的可靠运行。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和各类中功率开关电源应用的理想功率开关解决方案。
基本参数：
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