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零件图片（仅供参考）
AOD413
规格参数

AOD413是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气特性包括40V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C环境温度下达24A的连续漏极电流处理能力，适用于中高功率应用场景。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为45毫欧（@12A），能有效降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14.1nC，有助于实现快速开关并简化驱动设计。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

  • 制造商产品型号：AOD413
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 40V 24A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：24A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：14.1nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：850pF @ 20V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD413
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 40V 24A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD413的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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