AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT7S60L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其aMOS产品系列。该器件采用TO-220封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）和7A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至600毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（最大8.2nC）和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。
该器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为104W，结合其稳健的电气特性，为工业电源、电机控制、LED驱动及PFC电路等高要求应用提供了高可靠性的解决方案。
基本参数：
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