我们为全球各个行业提供AOS AOD403_030现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AOD403_030是一款采用TO-252封装的P沟道功率MOSFET，由AOS制造。其核心电气参数定义了其在低压、大电流应用中的高效表现：30V的漏源电压（Vdss）提供了稳定的工作基础，而高达70A（Tc）的连续漏极电流承载能力与低至6.2毫欧（@20V Vgs）的导通电阻相结合，显著降低了功率传输路径中的传导损耗，提升了系统能效。

该器件具备良好的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为61nC，有助于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在各种环境条件下的可靠性。这些特性使其成为电源管理、电机驱动和负载开关等应用的优选解决方案。

• 制造商产品型号：AOD403_030
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 15A/70A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：61nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252
• AOD403_030，AOS产品一站式供应商。