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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW29S50是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装，属于其aMOS产品系列。该器件核心规格包括500V的漏源电压（Vdss）和29A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(On)）最大值仅为150毫欧 @ 14.5A，能有效降低功率损耗。同时，26.6nC @ 10V的较低栅极电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度，提升系统效率。器件结温工作范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗达357W（Tc），确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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