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AOB12T60PL是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263表面贴装封装。该器件核心参数包括600V漏源电压和12A连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术特性聚焦于降低导通损耗与优化驱动需求，在10V栅极驱动下最大导通电阻为520毫欧，最大栅极电荷为50nC。这些参数使其在效率与开关速度之间取得了良好平衡，适用于要求严苛的功率转换领域。

• 制造商产品型号：AOB12T60PL
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：520 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2028pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• AOB12T60PL，AOS产品一站式供应商。