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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOI206_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-251A通孔封装。其核心卖点在于在30V的漏源电压下,提供了高达18A(Ta)/46A(Tc)的连续电流处理能力,并通过仅5毫欧(@20A,10V)的最大导通电阻,显著降低了导通损耗,提升了系统能效。
该器件具备快速的开关特性,其最大栅极电荷(Qg)为33nC,有助于减少开关过程中的能量损失。宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)与高达50W(Tc)的功率耗散能力,确保了其在恶劣热环境下的可靠性,适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换与电机驱动场景。

基本参数:

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