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零件图片(仅供参考)
AOI206_002
规格参数

AOI206_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-251A通孔封装。其核心卖点在于在30V的漏源电压下,提供了高达18A(Ta)/46A(Tc)的连续电流处理能力,并通过仅5毫欧(@20A,10V)的最大导通电阻,显著降低了导通损耗,提升了系统能效。

该器件具备快速的开关特性,其最大栅极电荷(Qg)为33nC,有助于减少开关过程中的能量损失。宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)与高达50W(Tc)的功率耗散能力,确保了其在恶劣热环境下的可靠性,适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换与电机驱动场景。

  • 制造商产品型号:AOI206_002
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):18A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):33nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1333pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 器件封装:TO-251A
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOI206_002
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOI206_002的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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