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AOI206_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。其核心卖点在于在30V的漏源电压下，提供了高达18A（Ta）/46A（Tc）的连续电流处理能力，并通过仅5毫欧（@20A,10V）的最大导通电阻，显著降低了导通损耗，提升了系统能效。

该器件具备快速的开关特性，其最大栅极电荷（Qg）为33nC，有助于减少开关过程中的能量损失。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与高达50W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在恶劣热环境下的可靠性，适用于对效率和功率密度有较高要求的电源转换与电机驱动场景。

• 制造商产品型号：AOI206_002
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1333pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• AOI206_002，AOS产品一站式供应商。