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AOCA32108E是AOS公司推出的一款12V、双N沟道共漏极功率MOSFET阵列。该器件采用表面贴装封装，集成了两个高性能MOSFET，专为高密度、高效率的电源转换应用而设计。

其核心电气参数表现突出，在4.5V栅极驱动下导通电阻低至3.8毫欧（@5A），可显著降低传导损耗。同时，高达25A（Ta）的连续漏极电流承载能力和150°C的最大结温，确保了其在紧凑空间内处理较大功率时的稳定性和可靠性。低栅极电荷（32nC @4.5V）则有利于实现快速开关，优化整体效率。

这些特性使其成为同步整流、半桥拓扑及各类低压大电流DC-DC转换电路的优选解决方案，广泛应用于计算、通信及便携式电子设备中。

• 型号:AOCA32108E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:10-AlphaDFN（3.01x1.52）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 12V 25A 10DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-SMD，无引线
• 供应商器件封装:10-AlphaDFN（3.01x1.52）
• AOCA32108E，AOS产品一站式供应商。