AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOCA32108E是AOS公司推出的一款12V、双N沟道共漏极功率MOSFET阵列。该器件采用表面贴装封装，集成了两个高性能MOSFET，专为高密度、高效率的电源转换应用而设计。
其核心电气参数表现突出，在4.5V栅极驱动下导通电阻低至3.8毫欧（@5A），可显著降低传导损耗。同时，高达25A（Ta）的连续漏极电流承载能力和150°C的最大结温，确保了其在紧凑空间内处理较大功率时的稳定性和可靠性。低栅极电荷（32nC @4.5V）则有利于实现快速开关，优化整体效率。
这些特性使其成为同步整流、半桥拓扑及各类低压大电流DC-DC转换电路的优选解决方案，广泛应用于计算、通信及便携式电子设备中。
基本参数：
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