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零件图片(仅供参考)
AOD604
规格参数

AOD604是一款由AOS制造的N沟道与P沟道MOSFET阵列,采用TO-252-5表面贴装封装。该器件集成了逻辑电平驱动的互补型MOSFET,漏源电压(Vdss)为40V,在25°C下可处理高达8A的连续漏极电流(Id)。其核心优势在于低导通电阻,在10V Vgs和8A Id条件下,Rds(on)典型值仅为33毫欧,有效降低了导通损耗。

此外,其栅极阈值电压最大3V,便于与低压数字控制器直接接口。动态参数方面,栅极电荷(Qg)低至9.2nC(@10V),支持快速开关,适用于高效率的功率转换场景。工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了环境适应性。这款阵列化MOSFET主要面向空间紧凑、要求高效同步整流或电机驱动的应用设计。

  • 制造商产品型号:AOD604
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):33 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):9.2nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):404pF @ 20V
  • 功率-最大值:1.6W,1.7W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-6,DPak(5 引线 + 接片)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD604
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AOD604的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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