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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD604是一款由AOS制造的N沟道与P沟道MOSFET阵列,采用TO-252-5表面贴装封装。该器件集成了逻辑电平驱动的互补型MOSFET,漏源电压(Vdss)为40V,在25°C下可处理高达8A的连续漏极电流(Id)。其核心优势在于低导通电阻,在10V Vgs和8A Id条件下,Rds(on)典型值仅为33毫欧,有效降低了导通损耗。
此外,其栅极阈值电压最大3V,便于与低压数字控制器直接接口。动态参数方面,栅极电荷(Qg)低至9.2nC(@10V),支持快速开关,适用于高效率的功率转换场景。工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了环境适应性。这款阵列化MOSFET主要面向空间紧凑、要求高效同步整流或电机驱动的应用设计。

基本参数:
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