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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4830L是一款由AOS制造的8-SOIC封装双N沟道MOSFET阵列。每个MOSFET通道额定值为80V漏源电压(Vdss)和3.5A连续漏极电流(Id),其核心优势在于较低的导通电阻(75mΩ @ 10V Vgs)与适中的栅极电荷(13nC @ 10V),这有助于实现高效的功率转换与较快的开关速度。
该器件设计用于表面贴装,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,适用于空间受限且要求可靠性的应用。其双通道集成特性为同步整流、电机驱动和各类开关电源拓扑提供了紧凑的解决方案。需注意,此型号目前已停产。

基本参数:

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