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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB11S65L是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件核心特性在于其650V的高耐压与11A的连续电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的导通与开关性能上：导通电阻（Rds(on)）低至399毫欧，有效减少了导通损耗；同时，极低的栅极电荷（13.2nC）和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率与功率密度。器件结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达198W，展现出强大的鲁棒性与热可靠性。
基本参数：
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